En l'espace de quelques jours, Micron et SK hynix ont fait des annonces sur la NAND TLC. Le premier a démarré la production de masse de puces avec 232 couches. Le second présente sa NAND sur 238 couches, mais qui n'arrivera qu'en 2023.
Afin d'augmenter la densité de leurs puces, les fabricants sont passés à la 3D, c'est-à-dire qu'ils empilent plusieurs couches les unes sur les autres. Depuis le mois de mai, Micron propose 232 couches, mais SK hynix vient d'annoncer 238 couches, en TLC dans les deux cas.
Avec six couches de plus, ce dernier en profite pour revendiquer la couronne de celui qui en a le plus. Cette annonce s'inscrit dans le cadre du Flash Memory Summit qui se déroule en ce moment à Santa Clara.
238 couches en « 4D »
Pour rappel, la génération précédente de puces SK hynix (annoncée en décembre 2020) dispose de 176 couches. La société affirme aujourd'hui que son « dernier produit à 238 couches est le plus stratifié et le plus petit en même temps ». Dommage par contre qu'elle ne précise pas la densité, que nous aurions pu comparer à celle de la NAND Micron sur 232 couches : 14,6 Gb/mm2.
Cette fois encore, le terme 4D utilisé par SK hynix est purement marketing et cache en réalité une technique bien connue de l'industrie... et utilisée par SK hynix depuis 2018 avec sa NAND sur 96 couches : PUC ou Peri Under Cell. Pour simplifier, il s’agit en fait d’empiler l’une sur l’autre la partie logique et la matrice mémoire (qui comporte donc 238 couches sur la dernière génération). La « 4D » n'apporte donc rien de neuf et ne signifie pas que Micron est en retard avec sa « 3D ».
Comme sur la NAND à 176 couches de SK hynix, des Charge Trap Flash viennent remplacer les traditionnelles Floating Gate. Cela permet, selon le constructeur, d'« éliminer les interférences entre les cellules, d'améliorer les performances de lecture et d'écriture, et de réduire la surface ».
2,4 Go/s, aussi bien chez SK hynix que chez Micron
Comme à chaque itération, SK hynix annonce une hausse importante des performances : + 50 % sur la bande passante de la puce, qui grimpe donc à 2,4 Go/s (1,6 Gb/s sur la génération précédente). Sur ce point, la NAND se positionne donc exactement au même niveau que celle de Micron sur 232 couches.
SK hynix affirme que la consommation électrique est en baisse de 21 % lors de la lecture des données. De son côté, Micron explique que sa NAND à 232 couches « est la première en production à activer NV-LPDDR4, une interface basse tension qui permet d’économiser plus de 30 % par rapport aux interfaces d’E/S précédentes ».
Des samples chez SK hynix, production de masse chez Micron
« Les produits exploitant des puces à 238 couches seront d'abord adoptés par les fabricants de SSD pour PC, avant d'être fournis ultérieurement pour les smartphones et les SSD haute capacité pour les serveurs », explique SK hynix. Même son de cloche chez Micron, via sa gamme de produits Crucial.
Les premiers samples de puces de 512 Gb ont été fabriqués en juillet par SK hynix, tandis que la production de masse est prévue pour la première moitié de 2023. L'année prochaine des puces de 1 Tb sont également au programme.
Du côté de Micron, la NAND sur 232 couches est en production de masse dans l'usine de Singapour depuis fin juillet.
Chez Micron (et certainement chez SK hynix) des travaux sont en cours pour de la NAND avec 3xx couches (soit entre 300 et 399) sont en cours. La NAND à 4xx couches n'est pour le moment qu'aux premiers stades de recherche.
