Le fabricant évoque de manière persistante ces nouveaux Z-SSD depuis près de deux ans : en 2016 lors du Flash Memory Summit, puis l'année dernière à la Cloud Expo Europe, où un prototype de 800 Go était présenté.
Pour rappel, ils exploitent de la Z-NAND à la place de la NAND classique. Ces puces sont censées venir jouer sur les plates-bandes de la 3D Xpoint (Optane) d'Intel. Le fabricant annonce des performances en lecture aléatoire 1,7 fois plus rapides qu'avec un SSD PM963 NVMe (V-NAND TLC), avec une latence cinq fois plus faible.
Il est ainsi question de respectivement 750 000 IOPS et 16 microsecondes pour le Z-SSD SZ985 de 800 Go. L'endurance en écriture est de 30 DWPD (Drive Write Per Day) ou de 42 Po au total.
Le Z-SSD de Samsung sera disponible en version de 240 ou 800 Go et sera présenté à l'occasion du ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) 2018, qui se tiendra du 11 au 15 février à San Francisco.
Il faudra maintenant attendre sa disponibilité afin de comparer ses performances à la concurrence.
