du 20 décembre 2017
Date

Choisir une autre édition

Le constructeur explique qu'il est le premier à lancer la production de masse de puces de 8 Gb (1 Go) de deuxième génération exploitant une finesse de gravure de « classe » 10 nm.

Le fabricant reste en effet flou et annonce simplement « 1y nm », sans plus de précision. Samsung avance « un gain de productivité d'environ 30 % » par rapport à la première génération. « De plus, les niveaux de performance et d'efficacité énergétique des nouvelles puces DDR4 de 8 Gb ont été améliorés respectivement d'environ 10 et 15 % ».

Le fabricant en profite pour indiquer qu'il accélère ses projets sur les prochaines générations de DRAM, notamment DDR5, HBM3, LPDDR5 et GDDR6. Aucun calendrier n'est par contre présenté.

Samsung passe la seconde sur les puces DDR4 de 8 Gb de « classe » 10 nm
chargement Chargement des commentaires...