du 18 octobre 2018
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Comme prévu, le 7 nm Low Power Plus avec lithographie EUV (Extrême Ultraviolet) est prêt. Selon le fabricant, elle permet d'augmenter de 40 % l'efficacité et de 20 % les performances, ou de réduire de 50 % la consommation.

Toujours selon Samsung, sa commercialisation permettra des avancées dans la 5G, l'intelligence artificielle, les datacenters, etc. La suite est déjà connue : le 5nm Low Power Early (5LPE), puis le 4nm Low Power Early/Plus (4LPE/LPP) et enfin le 3nm Gate-All-Around Early/Plus (3GAAE/GAAP). Aucun calendrier n'est toutefois précisé.

Samsung donne le coup d'envoi du 7 nm LPP
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