Les nouvelles puces eUFS 3.1 sont prêtes chez Samsung, qui s’attend à les retrouver dans des smartphones haut de gamme dès cette année. Les débits en lecture ne changent par par rapport à la précédente génération (2,1 Go/s), mais ils sont multipliés par trois en écriture pour atteindre 1,2 Go/s.
Il y a deux semaines, le JEDEC officialisait la norme UFS 3.1 (Universal Flash Storage) pour la mémoire Flash, qui intègre notamment la fonctionnalité Write Booster pour augmenter les débits en écriture. Samsung répond au consortium avec la production en masse des premières puces eUFS 3.1 – « e » pour embedded – de 512 Go.
Effectivement, le gain de performance se fait largement ressentir en écriture puisque le fabricant annonce jusqu’à 1,2 Go/s, contre 410 Mo/s pour les puces eUFS 3.0 de 512 Go annoncées en février de l’année dernière. Pas de changement par contre en lecture, avec un maximum de 2,1 Go/s.
Les IOPS augmentent : 100 000 en lecture et 70 000 en écriture avec une puce eUFS 3.1 de Samsung, contre respectivement 63 000 et 68 000 en eUFS 3.0. Comme on peut le voir dans le tableau ci-dessous, les différences sont encore plus importantes si on compare à la version 2.1de la norme.
Samsung précise que cette puce pourrait être utilisée dans les prochains smartphones haut de gamme qui devraient sortir cette année. Des versions de 256 et 128 Go sont également annoncées. Mais sur ces dernières le fabricant ne donne aucune indication de performances.
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