Samsung affirme que son usine de Hwaseong peut désormais produire des puces en 5 nm FinFET avec lithographie EUV pour ses partenaires. De quoi augmenter la densité, les performances et/ou l'efficacité énergétique.
Après avoir débuté la production de puces gravées en 7 nm en octobre dernier, Samsung descend encore d'un cran en passant au 5 nm FinFET, avec un gain de densité de 25 %.
Selon le constructeur, cela permet de gagner 20 % en consommation ou 10 % en performances, selon les cas et les objectifs. Samsung précise qu'il a réutilisé l'ensemble de ses brevets et outils du 7 nm pour le 5 nm, ce qui devrait permettre à ses partenaires de migrer plus rapidement sur ce nouveau node.
Cette finesse de gravure est « désormais prête pour les clients » qui peuvent demander les premiers samples MPW (Multi Project Wafer). Pour le moment, la production se déroule uniquement sur la ligne S3 de l'usine de Hwaseong en Corée, mais une nouvelle ligne est prévue pour la seconde moitié de cette année à Hwaseong.
En plus du 5 nm, le constructeur propose à ses clients un procédé personnalisé en 6 nm, toujours avec lithographie EUV, une première puce ayant été finalisée (tape-out). Samsung n'est pas seul sur le 5 nm puisque TSMC est aussi sur les rangs. De quoi marquer un peu plus le retard pris par Intel ces dernières années.
Commentaires (12)
#1
La course semble bien répartie chez 2 fondeurs.
Intel a perdu de sa superbe sur la maîtrises dans le domaine.
#2
Intel a surtout perdu son principal avantage concurrentiel ces dernières décennies (avoir toujours une finesse de gravure d’avance).
De là à ce que Samsung rachète VIA et ses licences x86 il y a probablement un monde mais clairement ils sont en position de taper dans la fourmilière si ils veulent.
#3
Il faudra voir ce que donne l’après 10 nm, une fois cette sale période passée. Ils ont largement les ressources pour revenir, sans parler du fait qu’il faut raison garder sur les comparaisons en termes d’efficacité des process de gravure.
#4
Et l’après 5nm… Possible ?
#5
Rien n’est possible jusqu’à ce qu’on le fasse (ou que le marketing ne trouve une astuce :p)
#6
Tout a fait d’accord.
Ils ce sont craqués avec le 10nm. Mais on effectivement les ressources financières, humaines et r&d pour avancer. Ce que n’a pas ou plus GlobalFoundries mais que ont Samsung et TMC.
Ca va être intéressant de voir les choix technologiques et industriels .
La théorie est de maximum 2 ou 3 nm avec le silicium avec les effets quantiques maitrisable en plus des fuite de courants avec nos technique actuelles, si je ne dit pas de connerie. Mais on ne vie pas en théorie. Donc on verra bien.
A coté de ca, les labo de recherches sont sur le pieds de guerre pour trouver de nouveaux matériaux, nouvelle technique comme les transistor a effet tunnel, l’utilisation du graphène.
Une chose est sur, l’époque des augmentations de performances lié a la diminution de la gravure est terminé. Les usines coutent de plus en chère, la recherche est toujours plus pointue et onéreuse.
#7
J’aimerais bien avoir un lien de cette photo en HD si c’est possible.
Elle est vraiment impressionnante cette usine.
#8
Click droit, afficher l’image : elle fait déjà 3957 × 1917 pixels, et 2 Mo
#9
Merci, c’est parfait, c’est fou une usine de cette taille pour travailler sur du microscopique.
#10
C’est quoi cette lubie des toits bleus d’ailleurs ???
#11
Une autre photo pendant la construction, en très haute déf (clic)
#12
Impressionnant le nombre de grues sur la photo !