Samsung affirme que son usine de Hwaseong peut désormais produire des puces en 5 nm FinFET avec lithographie EUV pour ses partenaires. De quoi augmenter la densité, les performances et/ou l'efficacité énergétique.
Après avoir débuté la production de puces gravées en 7 nm en octobre dernier, Samsung descend encore d'un cran en passant au 5 nm FinFET, avec un gain de densité de 25 %.
Selon le constructeur, cela permet de gagner 20 % en consommation ou 10 % en performances, selon les cas et les objectifs. Samsung précise qu'il a réutilisé l'ensemble de ses brevets et outils du 7 nm pour le 5 nm, ce qui devrait permettre à ses partenaires de migrer plus rapidement sur ce nouveau node.
Cette finesse de gravure est « désormais prête pour les clients » qui peuvent demander les premiers samples MPW (Multi Project Wafer). Pour le moment, la production se déroule uniquement sur la ligne S3 de l'usine de Hwaseong en Corée, mais une nouvelle ligne est prévue pour la seconde moitié de cette année à Hwaseong.
En plus du 5 nm, le constructeur propose à ses clients un procédé personnalisé en 6 nm, toujours avec lithographie EUV, une première puce ayant été finalisée (tape-out). Samsung n'est pas seul sur le 5 nm puisque TSMC est aussi sur les rangs. De quoi marquer un peu plus le retard pris par Intel ces dernières années.
