Qualcomm vient de faire plusieurs annonces. Il est tout d'abord question du SoC Snapdragon 835 dont on ne sait pas grand-chose, si ce n'est qu'il est gravé en 10 nm FinFET et qu'il propose Quick Charge 4. Dans le même temps, le fabricant a mis en place un programme de récompense, avec jusqu'à 15 000 dollars par faille découverte.
Il y a un peu plus d'un an, Qualcomm dévoilait son SoC haut de gamme que l'on retrouve à présent dans de nombreux smartphones : le Snapdragon 820 avec Quick Charge 3.0. Depuis, le Snapdragon 821 a été mis sur le marché, avec un gain de 10 % sur les performances, notamment grâce à des fréquences plus élevées. Aujourd'hui, le fabricant revient avec un nouveau modèle, le Snapdragon 835.
Le Snapdragon 835 arrivera début 2017 : 10 nm FinFET, mais pas d'autres détails
Alors que les 820 et 821 sont gravés en 14 nm FinFET, le 835 passe au 10 nm FinFET (en partenariat avec Samsung) ce qui permet de réduire la taille de la puce, tout en augmentant son efficacité énergétique explique le constructeur. Qualcomm ne donne par contre pas de détails supplémentaires sur les fréquences, l'architecture et le nombre de cœurs utilisés, le type de 4G et de Wi-Fi pris en charge, etc.). Aucune comparaison directe n'est non plus faite avec le Snapdragon 820/821.
Il indique simplement que son Snapdragon 835 est d'ores et déjà en production et il pense que des terminaux équipés avec ce SoC arriveront durant la première moitié de l'année prochaine. Le MWC de Barcelone qui se déroulera fin février sera certainement l'occasion d'annonces sur le sujet.
Who says bigger is better? Our #Snapdragon 835 processor is taking powerful processing down to 10nm: https://t.co/31x7z0ZruH pic.twitter.com/NqOeFyOwlX
— Qualcomm (@Qualcomm) 17 novembre 2016
Quick Charge 4 : 50 % de la batterie en 15 minutes
Au détour d'une autre annonce, Qualcomm ajoute tout de même que son nouveau SoC permettra de profiter de Quick Charge 4. Comme toujours dans ce genre de cas, la société promet « des temps de charge plus rapides et une efficacité supérieure à celle des générations antérieures ».
Comparé à Quick Charge 3.0 (qui permet de charger une batterie à 80 % en 30 minutes), il est question d'une charge 20 % plus rapide (ou d'une efficacité 30 % supérieure, Qualcomm mettant en avant les deux chiffres), ce qu'il faudra évidemment vérifier dans la pratique. Toujours selon Qualcomm, Quick Charge 4 permettra ainsi de charger une batterie à 50 % en 15 minutes et d'obtenir une autonomie de « cinq heures ou plus avec seulement cinq minutes de charge ». Comme c'était déjà le cas, cette technologie est compatible avec l'USB Type-C et l'USB-PD (Power Delivery).
L'algorithme maison INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), qui permet d'ajuster à tout moment le niveau de la puissance de la charge, est amélioré et tient désormais compte de la chaleur en temps réel. Qualcomm tient à préciser que des « protections avancées pour l'adaptateur et l'appareil mobile » sont présentes. Les récents déboires de Samsung avec son Galaxy Note7 ont visiblement marqué les esprits.
Jusqu'à 15 000 dollars de récompense si vous signalez des failles à Qualcomm
Enfin, Qualcomm lance un programme de récompense pour la détection de failles de sécurité, aussi connu sous le nom de « bug bounty ». Pour cela, le fabricant met jusqu'à 15 000 dollars sur la table par vulnérabilité. Tous les détails se trouvent sur la plateforme HackerOne utilisée pour l'occasion.
Pour rappel, Qualcomm a souvent été pointé du doigt pour de nombreuses vulnérabilités dans ces produits. Nous pouvons par exemple citer le bulletin de sécurité d'Android du mois de juillet, la possibilité de casser le chiffrement intégral sur des terminaux équipés de puces Qualcomm ainsi que cette faille dans la TrustedZone.
