Si Intel est sans conteste le fondeur leader, exploitant les dernières technologies pour ce qui est de la finesse de gravure de ses puces, cela n'empêche pas ses concurrents de lui courir après. Ainsi, Samsung vient d'annoncer qu'il exploitera lui aussi du 14 nm et des transistors de type FinFET pour son SoC Exynos 7 Octa.
Si Intel exploite le 14 nm pour ses processeurs de la génération Broadwell, et des transistors « 3D » de type FinFET depuis quelques générations maintenant, ses concurrents commencent à s'y mettre, et notamment Samsung. La marque vient en effet d'annoncer avoir commencé à exploiter cette technologie qui permet, selon ses dires, un gain de 20 % en fréquence, une réduction de 35 % de la consommation et une productivité améliorée de 30 % par rapport au procédé 20 nm utilisé précédemment. De quoi assurer un avantage de poids face à ses concurrents et ceux de ses partenaires.
La société, qui travaille depuis plusieurs années à l'utilisation de transistors de types FinFET, les exploitera pour la première fois avec le 14 nm pour l'Exynos 7 Octa (7420). Pour rappel, cette puce dispose de quatre cœurs A57 et quatre A53 via une architecture de type Big.LITTLE. Si on apprend qu'elle est entrée en production de masse, et qu'elle est attendue pour un peu plus tard dans l'année, le produit avec lequel elle sera exploitée n'est pour le moment pas confirmé, mais on peut espérer qu'il est question du prochain modèle Galaxy qui sera dévoilé à l'occasion du MWC le mois prochain.
Reste maintenant à voir de quels niveaux seront les gains dans la pratique, que ce soit en termes de chauffe, de fréquence, de performances mais aussi d'autonomie. Rendez-vous au moment de l'annonce officielle et des tests.
