Samsung vient d'annoncer que la production de masse de puces V-NAND de type TLC (Triple Level Cell) avait débuté. Le constructeur cumule donc deux de ses technologies phares du moment. Il ne reste maintenant plus qu'à attendre les premiers SSD afin de voir si les performances sont au rendez-vous.
Début juillet, Samsung dévoilait ses SSD 850 Pro, les premiers à exploiter des puces de mémoire Flash MLC de type V-NAND ou Vertical NAND. Pour rappel, il s'agit d'empiler plusieurs couches et ainsi augmenter la capacité des puces pour une superficie équivalente. 14 mois après la mise en production de la V-NAND MLC (pouvant contenir deux bits par cellule), Samsung se lance désormais dans la V-NAND TLC (pouvant contenir trois bits par cellule).
Qu’elles soient de type MLC ou TLC, les puces de mémoire flash V-NAND de Samsung sont relativement proches sur le papier. En effet, elles exploitent toutes les deux une architecture 3D empilant 32 couches par puce et proposent une capacité maximale de 128 Gb (16 Go). Notez que les actuelles puces de NAND TLC de Samsung sont également disponibles dans cette capacité. Mais en cumulant ces deux technologies, Samsung annonce avoir « plus que doublé la productivité par Wafer ».
Nous n'aurons pas plus de détails pour le moment sur les performances que l'on peut attendre, ni sur les prix de vente des SSD qui exploiteront cette V-NAND TLC. Pour rappel, les 850 Pro (V-NAND MLC) n'avaient pas à rougir face aux 840 Pro (NAND MLC), étaient un peu plus chers mais étaient proposés avec une garantie de 10 ans, dans la limite de 150 To de données écrites. On attend donc désormais l'arrivée des 850 Evo avec des puces de V-NAND TLC afin de voir ce qu'il en est exactement.
