La DDR4 en approche chez Hynix et Samsung

C'est via deux communiqués de presse publiés dans la journée d'hier qu'Hynix et Samsung ont annoncé être en train de finaliser leurs premiers produits de la génération DDR4, exploitant des puces gravées en 30 nm.

Samsung DDR4Pour le premier, il s'agit de proposer des produits destinés aux micro serveurs avec des modules de 2 Go au format ECC-SODIMM. Ainsi, avec une consommation identique à un module de DDR3, il peut atteindre un débit de 2400 Mbps sous 1.2 V, soit une bande passante de 19.2 Go/s sur un bus de 64 bits.

La production de masse de tels produits n'est pas attendue avant la mi-2012, la DDR4 devant devenir le standard d'ici 2015 avec 50 % du marché selon iSuppli.

Du côté de chez Samsung, on évoque des modules pouvant fonctionner à 2133 Mbps à 1.2 V avec une consommation inférieure de 40 % par rapport à de la DDR3 à 1.5 V, la DDR4 de la marque étant capable d'offrir des débits de 1600 à 3200 Mbps en théorie. Actuellement, des modules de 2 Go sont en cours de test.

Aucune date n'est pour l'instant annoncée concernant la disponibilité de produits finaux, mais Samsung assure travailler avec le JEDEC pour la certification de ses produits et la finalisation du standard prévue pour la mi-2011.

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