La course à l'amélioration de la gravure continue chez les fondeurs. Ainsi, TSMC qui travaille depuis septembre 2008 sur le passage à 28 nm vient d'annoncer un nouveau procédé basse consommation exploitant la technologie High-K / Metal Gate.
Jusqu'à maintenant, le fondeur travaillait sur deux procédés. Le premier est connu sous le nom de High Performance (28HP) et permet la fabrication de puces complexes telles que les GPU, CPU, Chipsets, FPGA ou même des puces destinées à des consoles de jeux vidéo.
Il exploite la technologie High-K / Metal Gate et les premiers essais de production devraient intervenir d'ici la fin du deuxième trimestre de 2010.
Le second, Low Power (28LP), utilise l'oxynitrure de silicium. Il est pensé pour les périphériques à basse consommation qui exploitent des puces simples et peu coûteuses telles que les téléphones portables et autres PDA.
TSMC devrait commencer les tests de production un peu plus tôt, puisqu'il est question de la fin du premier trimestre de 2010.
Mais désormais, il faudra aussi compter avec un procédé qui combine les avantages des deux précédents et qui est avant tout pensé pour la fabrication de SoC (System on a Chip) : High Performance Low Power (28HPL).
Ici aussi la technologie High-K / Metal Gate est utilisée, mais les tests ne devraient pas débuter avant le troisième trimestre de l'année prochaine.
Et le fondeur se doit de ne pas louper le coche après les ratés de son 40 nm, car Global Foundries, le fondeur issu de la scission d'AMD pourrait tenter d'en profiter pour récupérer de gros clients.
Pour rappel, récemment, Global Foundries déclarait travailler sur deux procédés de gravure en 28 nm exploitant la technologie High-K / Metal Gate, dont un annoncé comme « basse consommation », dont la production effective est annoncée pour fin 2010 et début 2011.
La compétition devrait alors être tendue entre les deux fondeurs, surtout qu'Intel, a décidé de passer directement au 22 nm d'ici début 2012. Le géant de Santa Clara pourrait d'ailleurs dévoiler les premiers résultats de cette finesse de gravure lors du prochain IDF, qui se tiendra le mois prochain à San Francisco.
Jusqu'à maintenant, le fondeur travaillait sur deux procédés. Le premier est connu sous le nom de High Performance (28HP) et permet la fabrication de puces complexes telles que les GPU, CPU, Chipsets, FPGA ou même des puces destinées à des consoles de jeux vidéo.Il exploite la technologie High-K / Metal Gate et les premiers essais de production devraient intervenir d'ici la fin du deuxième trimestre de 2010.
Le second, Low Power (28LP), utilise l'oxynitrure de silicium. Il est pensé pour les périphériques à basse consommation qui exploitent des puces simples et peu coûteuses telles que les téléphones portables et autres PDA.
TSMC devrait commencer les tests de production un peu plus tôt, puisqu'il est question de la fin du premier trimestre de 2010.
Mais désormais, il faudra aussi compter avec un procédé qui combine les avantages des deux précédents et qui est avant tout pensé pour la fabrication de SoC (System on a Chip) : High Performance Low Power (28HPL).
Ici aussi la technologie High-K / Metal Gate est utilisée, mais les tests ne devraient pas débuter avant le troisième trimestre de l'année prochaine.
Et le fondeur se doit de ne pas louper le coche après les ratés de son 40 nm, car Global Foundries, le fondeur issu de la scission d'AMD pourrait tenter d'en profiter pour récupérer de gros clients.
Pour rappel, récemment, Global Foundries déclarait travailler sur deux procédés de gravure en 28 nm exploitant la technologie High-K / Metal Gate, dont un annoncé comme « basse consommation », dont la production effective est annoncée pour fin 2010 et début 2011.La compétition devrait alors être tendue entre les deux fondeurs, surtout qu'Intel, a décidé de passer directement au 22 nm d'ici début 2012. Le géant de Santa Clara pourrait d'ailleurs dévoiler les premiers résultats de cette finesse de gravure lors du prochain IDF, qui se tiendra le mois prochain à San Francisco.
