AMD / IBM : lithographie par immersion en 45 nm Ultra-Low-K

Nanosculpture 68
IBM et AMD viennent de présenter leur projet de gravure par immersion en 45 nm lors de la réunion IEDM (International Electron Device Meeting). Les deux sociétés vont collaborer pour développer un processus de lithographie qui devrait être prêt en milieu d'année 2008.

lithographie Les deux compères vont graver des processeurs en 45 nm dotés d'interconnexions diélectriques ultra-low-K : « La lithographie par immersion va nous permettre de fournir un meilleur design de processeurs [...]. Les interconnexions ultra-low-K prolongeront encore notre domination industrielle sur le rapport performance/Watt de nos processeurs [...]. Cette annonce est une nouvelle preuve de la collaboration réussie entre AMD et IBM en recherche et développement » explique Nick Kepler, responsable technologique chez AMD.

AMD et IBM utiliseront donc bien la lithographie par immersion pour passer le cap des 65 nm. Le procédé consiste à imprimer un wafer à travers un liquide transparent pour améliorer la qualité de gravure des puces électroniques. De quoi aussi améliorer le rendement de la production. AMD et IBM affirment ainsi avoir un sérieux avantage « sur les concurrents incapables de développer une technique de lithographie par immersion pour la production de processeurs en 45 nm ».

Vous l'aurez deviné, cette dernière remarque vise Intel. Le géant de la puce a effectivement déclaré en début d'année qu'il se passerait de la lithographie par immersion pour son processus de gravure en 45 nm, utilisant alors une technique classique sans immersion, suffisante selon la marque. Intel a toutefois précisé que cette technologie d'immersion serait certainement utilisée pour le passage au 32 nm. Quoi qu'il en soit, Intel reste en avance sur le 45 nm, prévu pour mi-2007 chez le fondeur.

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Schéma simplifié de la lithographie par immersion.

Les diélectriques ultra-low-K diminueront pour leur part la perte de tension des interconnections diélectriques des processeurs. Une technique qui a pour avantage de réduire les émissions de chaleur en diminuant la tension d'entrée, et surtout de réduire les délais de transport des électrons de 15 % par rapport aux low-K. AMD et IBM promettent alors une mémoire cache (SRAM) 15 % plus performante, sans utiliser de techniques de production trop coûteuses.

Ce procédé 45 nm sera utilisé dans les usines de East Fishkill près de New York, et de Dresde en Allemagne. La coopération entre AMD et IBM est soudée jusqu'en 2011, avec pour objectifs le 32 nm, puis le 22 nm.