SSD M600 de Micron : puces de 16nm et « Dynamic Write Acceleration »

SSD M600 de Micron : puces de 16nm et « Dynamic Write Acceleration »

S-ATA, mSATA, M.2., il y en a pour tous les gouts !

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Sébastien Gavois

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Sciences et espace

17/09/2014 3 minutes
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SSD M600 de Micron : puces de 16nm et « Dynamic Write Acceleration »

Micron vient d'annoncer une nouvelle série de SSD : les M600. Ils sont disponibles dans de nombreux formats (S-ATA en 2,5 pouces, mSATA et M.2) et exploitent des puces maison gravées en 16 nm. Il est question de plus de 500 Mo/s en lecture et écriture et jusqu'à 100 000 IOPS en lecture.

Micron ne fait pas que fabriquer des puces de Flash NAND, la société propose également des SSD, que l'on retrouve généralement chez Crucial sous le même nom. On peut citer le cas des gammes de SSD M500 et M550 par exemple. Cela n'empêche pas les deux partenaires de proposer des produits chacun de leur côté. On a ainsi vu débarquer le MX100 chez Crucial que l'on trouve à moins de 93 euros pour 256 Go, tandis que les M600 arrivent chez Micron.

 

Ces derniers intègrent des puces de NAND Flash maison gravées en 16 nm, comme sur les MX100 de 256 et de 512 Go. La ressemblance s'arrête là. En effet, le M600 est disponible dans trois formats différents : S-ATA de 2,5 pouces, mSATA et M.2. Dans le premier cas, la capacité grimpe jusqu'à 1 To, contre 512 Go pour les deux autres.

 

Les débits annoncés sont relativement élevés puisqu'il est question d'un maximum de 560 Mo/s en lecture et de 510 Mo/s en écriture, grâce à la technologie « Dynamic Write Acceleration » qui, comme son nom l'indique, permet d'améliorer les performances en écriture lorsque le SSD n'est pas entièrement rempli de données. L'idée étant de créer une sorte de cache en n'écrivant qu'un bit par cellule (comme sur de la SLC) au lieu de deux (ce qui le cas sur de la MLC classique), le système se chargeant ensuite de tout remettre en ordre. Plus il reste de la place, plus le gain devrait théoriquement être élevé. Il faudra donc attendre les premiers tests pour voir ce qu'il en est exactement suivant les formats et les capacités des SSD. Côté IOPS, Micron annonce respectivement 100 000 et 80 000 sur des fichiers de 4ko.

 

SSD Micron M600

 

Pour le moment, aucun tarif n'est précisé et Micron indique que cette gamme de SSD est destinée aux intégrateurs. Nous avons contacté Crucial afin de savoir si les M600 viendraient prochainement compléter sa gamme, notamment en épaulant les MX100, mais sans réponse pour le moment. Pour rappel, Micron avait déjà lancé une série M510 dédiée aux OEM, qui n'avait pas été reprise par Crucial.

Écrit par Sébastien Gavois

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Commentaires (12)


Le Dynamic Write Acceleration pue l’amplification en écriture super élevée…

(et ça ressemble au mode SLC de certains concurrents…)


ce que je me demande c’est “quel INpact ce genre de technique a sur la durée de vie des puces du SSD ?” <img data-src=" />


J’avais lu “dynamic white acceleration”…



<img data-src=" />


Bon ça fait une heure que j’ai signalé par mail, alors je vais tester de signaler par les commentaires voir si c’est plus réactif.<img data-src=" />



Le lien “Dynamic Write Acceleration” est mort, il renvoie vers c:/








maestro321 a écrit :



Bon ça fait une heure que j’ai signalé par mail, alors je vais tester de signaler par les commentaires voir si c’est plus réactif.<img data-src=" />



Le lien “Dynamic Write Acceleration” est mort, il renvoie vers c:/







Pour ça que tout le monde veut accéder à mon ordinateur <img data-src=" />

Sinon il est là :http://www.micron.com/-/media/documents/products/technical%20marketing%20brief/s…



et corrigé dans l’actu <img data-src=" />









alegui a écrit :



Le Dynamic Write Acceleration pue l’amplification en écriture super élevée…

(et ça ressemble au mode SLC de certains concurrents…)







Si j’en crois le document, Micron a une technologie qui permet à ses cellules de fonctionner en mode MLC ou SLC à la demande. Du coup, au moment de l’écriture, s’il y a suffisamment d’espace libre, les cellules sont transformées en SLC (plus rapide, mais capacité plus faible). Ensuite, lorsque le disque est au repos, les données sont migrées vers des cellules en mode MLC. Un peu comme un cache disque, excepté que n’importe quelle partie du disque peut à la demande servir de cache. Du coup, ça a l’air de doubler le nombre effectif d’écritures…





Cela n’empêche pas les deux partenaires de proposer des produits chacun de leur côté.



Pourquoi partenaires ? Crucial c’est juste une marque de Micron donc c’est la même entité :http://en.wikipedia.org/wiki/Micron_Technology





Dans le premier cas, la capacité grimpe jusqu’à 1 To, contre 512 Go pour les deux autres.



Et au-dessus de 1 To c’est pas possible ?








KooKiz a écrit :



Si j’en crois le document, Micron a une technologie qui permet à ses cellules de fonctionner en mode MLC ou SLC à la demande. Du coup, au moment de l’écriture, s’il y a suffisamment d’espace libre, les cellules sont transformées en SLC (plus rapide, mais capacité plus faible). Ensuite, lorsque le disque est au repos, les données sont migrées vers des cellules en mode MLC. Un peu comme un cache disque, excepté que n’importe quelle partie du disque peut à la demande servir de cache. Du coup, ça a l’air de doubler le nombre effectif d’écritures…





La solution de cache statique de Samsung est moins problématique pour l’amplification du nombre d’écritures:

on fait passer 7.5% du disque de TLC en SLC, soit 2,5% en capacité finale. Mais le fait de passer cette zone en SLC lui permet de supporter 50k écritures, 50x plus d’écritures qu’en mode TLC, donc en gros le cache peut supporter sur sa petite surface autant d’écritures que tout le disque.



Par contre pour un cache dynamique, les zones utilisée pour le cache ne peuvent pas bénéficier de ce surplus d’écritures car comme c’est dynamique, ellse doivent pouvoir repasser en mode MLC donc si elle dépassent le limite du nombre d’écriture MLC c’est mort… elle ne pourront faire plus que office de cache…









sylvere a écrit :



Par contre pour un cache dynamique, les zones utilisée pour le cache ne peuvent pas bénéficier de ce surplus d’écritures car comme c’est dynamique, ellse doivent pouvoir repasser en mode MLC donc si elle dépassent le limite du nombre d’écriture MLC c’est mort… elle ne pourront faire plus que office de cache…







Très INtéressant, merci <img data-src=" />









raoudoudou a écrit :



Très INtéressant, merci <img data-src=" />





après toujours d’après la doc de micron ils disent que ce n’est pas un problème parce-qu’ils effacent leurs cellules de manière moins violente que la concurrence et que du coup leurs cellules sont plus robustes de 50%.









KooKiz a écrit :



Si j’en crois le document, Micron a une technologie qui permet à ses cellules de fonctionner en mode MLC ou SLC à la demande. Du coup, au moment de l’écriture, s’il y a suffisamment d’espace libre, les cellules sont transformées en SLC (plus rapide, mais capacité plus faible). Ensuite, lorsque le disque est au repos, les données sont migrées vers des cellules en mode MLC. Un peu comme un cache disque, excepté que n’importe quelle partie du disque peut à la demande servir de cache. Du coup, ça a l’air de doubler le nombre effectif d’écritures…





Pourquoi ne pas juste dire qu’ils ont une grosse mémoire cache (e-peen) directement alors ? Samsung le font, ils disent cache qu’ils ont un gros e-pe… cache !









alegui a écrit :



Le Dynamic Write Acceleration pue l’amplification en écriture super élevée…







Ouaip… cumulé à la gravure en 16nm et l’impact sur le nb de cycles d’erase admissible: Pour les SSD, ca devient pas beau le progrès, vivement la techno suivante, on va rapidement toucher les limites!