Des chercheurs coréens brisent la barrière des 10nm

Qui va recoller les morceaux ? 37
Les professeurs Choi Hee-cheul de la Pohang University of Science and Technology (PUST) et Kim Hyun-tak de l'Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI) ont dernièrement fait sensation en publiant dans le mensuel Nature Nanotechnologie, leur découverte.

choi hee cheulIls disent avoir trouvé une solution permettant le développement de semi-conducteurs d'une finesse de 10nm. Leur innovation utiliserait la technologie des nanotubes de carbone (décidément très populaire), et la théorie d'isolant de Mott, de l'ETRI, permettant de changer instantanément un métal conducteur en isolant.

Le professeur Choi a déclaré : « Aussi loin que nous pouvons nous souvenir, nous sommes les premiers de l'histoire à casser la barrière des 10 nanomètres. Nous pourrions grandement avancer une fois les réactions chimiques superficielles uniques des nanotubes de carbone toutes découvertes. »

Il ajoute : « Nous espérons que cette technologie basée sur les nanotubes de carbone permettra l'aboutissement de puces-mémoires de 10nm. Pour arriver à cela, nous coopérons actuellement avec des start-ups américaines. »

Kim Hyun-tak, annonce : « le 20e siècle était l'âge des semi-conducteurs, celui-ci sera le siècle des "Mott insulators". Ces matériaux ouvriront un énorme marché. »

Choi et Kim pensent qu'un jour des cartes-mémoires Flash de 100 Go seront réalisables. Récemment, Samsung a annoncé de la mémoire flash gravée à une finesse de 40 nm, en pensant atteindre une finesse inférieure à 20 nm.
Par psikobare Publiée le 23/02/2007 à 15:51 - Source : Times hankooki
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