Des puces de 16 Gbit de flash NAND en 50 nm chez Samsung

Pour des disques de 32 Go... 15
Samsung présente ses nouvelles puces de mémoire flash gravées en 50 nm, capable de stocker chacune 16 Gbit de données, soit une capacité de 2 Go, pas moins !

La marque précise que ses premiers échantillons de puces de 16 Gbit arborent un design MLC (Multi-level cell) pour augmenter leur densité de stockage, avec des pages de 4 Ko chacune (contre 2 Ko auparavant) pour doubler les performances de lecture, et même augmenter la vitesse d'écriture de 50 %.

Samsung
Une puce de 16 Gbit en 50 nm de Samsung

Samsung explique ainsi que les performances globales de sa nouvelle mémoire MLC NAND sont presque doublées, pour offrir non seulement plus de stockage, mais aussi plus de rapidité d'exécution. La marque coréenne embraye ainsi sur les disques durs à mémoire flash (SSD, solid state disk), que Windows Vista devrait notamment pouvoir exploiter.

Ces puces arriveront en masse dès le premier trimestre 2007, et Samsung prévoit donc aussi un disque dur flash 2,5 pouces offrant 32 Go de capacité, en regroupant 16 de ces puces de 16 Gbit. Nous en parlions dans cette actualité, Samsung prévoit alors 32 Mo/s en écriture, et 57 Mo/s en lecture, tout en consommant beaucoup moins d'énergie qu'un disque dur classique.
Publiée le 03/01/2007 à 11:11
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