Mémoire Flash OneNAND 70 nm : ultra-rapide ?

Samsung lance un défi aux disques durs 26
OneNANDLundi, Samsung annonçait sa nouvelle génération de mémoire Flash OneNAND, gravée en 70 nm. L'ancienne génération était gravée en 90 nm, la progression dans la finesse de gravure permet à Samsung d'augmenter de 70 % ses rendements à la production, d'après le communiqué.

Cette mémoire est aussi bien plus rapide que la NAND classique. Samsung affirme avoir fusionné la rapidité en lecture de la mémoire Flash NOR avec la rapidité en écriture et les capacités de stockage de la NAND. Résultat, cette mémoire serait parfaite pour les cartes mémoires rapides, et surtout pour les disques durs hybrides.

Samsung produit donc désormais en masse des puces de 1Gbit (128 Mo) de mémoire OneNAND en 70 nm. Cette mémoire aurait un débit très élevé en lecture, de 108 Mo/s, soit 60 % de plus que la mémoire OneNAND 90 nm précédente. Cadencée à une fréquence maximale de 83 MHz, cette mémoire est annoncée compatible avec une grande majorité des produits portables actuels.

La OneNAND devrait être utilisée dans une part grandissante de produits de consommation courante, comme les téléphones/PDA, les cartes mémoires, et autres lecteurs de poche. On l'attend surtout du côté des disques durs hybrides, ou même des unités de mémoire Flash IDE remplaçant les disques durs... Mais il faudra que son prix tienne aussi la route.

Samsung espère voir ses ventes de mémoire OneNAND atteindre le milliard de dollars en 2008, et 1,5 milliard en 2010.
Par Bruno Cormier Publiée le 04/04/2006 à 16:38
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